一种局部镀金围框结构及其加工方法
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摘要
本发明公开了一种局部镀金围框结构及其加工方法，所述局部镀金围框结构包括：金属围框；以及覆盖于金属围框上下表面和外侧面的镍金镀层。所述加工方法包括：S1，在金属基材上加工出金属围框最大外形；S2，加工出金属围框上的台阶结构；S3，在金属围框内需要镂空区域加工出线切割穿线孔；S4，进行镀镍金处理；S5，根据所述线切割穿线孔，通过线切割加工出镂空区域。本发明具有以下有益效果：1、加工工艺简单，无需手工涂覆等特殊处理工艺；2、加工成本低；3、加工周期短；4、适用于金属围框加工，可用多种金属加工制作。
基本信息
专利标题 ：
一种局部镀金围框结构及其加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112447611A
申请号 ：
CN202011038810.8
公开（公告）日 ：
2021-03-05
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN112447611B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
赵鸣霄景飞廖彦格廖翱李文高明起
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请人地址 ：
四川省成都市金牛区营康西路496号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐静
优先权 ：
CN202011038810.8
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/06 H01L21/48 B23P15/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-03-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/04
申请日 : 20200928
申请日 : 20200928
2021-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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