基于自旋发射和线偏振光电流的偏振可调谐太赫兹辐射源
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摘要

本发明公开了一种基于自旋发射和线偏振光电流的偏振可调谐太赫兹辐射源,飞秒激光入射到铁磁性金属‑拓扑绝缘体异质结薄膜时,在拓扑绝缘体薄膜的两个面上同时激发产生自旋电荷转化和线偏振光电流效应,并各自辐射出线偏振的光电流分量太赫兹波和自旋电荷转化分量太赫兹波,通过对纳米异质结样品上将线偏振光电流和自旋电荷转化两种效应贡献的太赫兹波结合与调控,得到高质量的圆偏振太赫兹波辐射源。本发明不仅能产生高质量的圆偏振太赫兹辐射,还能够实现任意偏振态太赫兹波的产生,为下一代集成化的新型太赫兹辐射源奠定了基础。

基本信息
专利标题 :
基于自旋发射和线偏振光电流的偏振可调谐太赫兹辐射源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112510469A
申请号 :
CN202011054798.X
公开(公告)日 :
2021-03-16
申请日 :
2020-09-27
授权号 :
CN112510469B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
吴晓君陈薪厚
申请人 :
北京航空航天大学
申请人地址 :
北京市海淀区学院路37号
代理机构 :
北京航智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄川
优先权 :
CN202011054798.X
主分类号 :
H01S1/02
IPC分类号 :
H01S1/02  
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法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-04-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 1/02
申请日 : 20200927
2021-03-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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