一种用于高功率光纤激光器的调频式半导体种子源
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摘要
本发明的一种用于高功率光纤激光器的调频式半导体种子源,包括多段式分布布拉格反射DBR半导体激光器,依次分别是前光栅区、相位区、有源区与后光栅区,还包括T型偏置器Bias‑T,对激光器的各区分别用电流进行控制,有源区的注入电流为激光器提供增益,通过电流注入使前光栅区、后光栅区的光反射谱发生移动,两个光反射谱之间的游标效应产生有效的模式选择,通过T型偏置器Bias‑T注入相位区的直流电流使腔模产生平移,实现种子源光谱均匀展宽;调节相位区注入的直流电流,使种子源波长连续调谐。本发明结构紧凑、体积小巧,成本低廉,适用于数千瓦级高功率窄线宽光纤激光器,可大幅度提升激光器的SBS阈值,进而提高激光器输出功率。
基本信息
专利标题 :
一种用于高功率光纤激光器的调频式半导体种子源
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112421357A
申请号 :
CN202011068245.X
公开(公告)日 :
2021-02-26
申请日 :
2020-10-08
授权号 :
CN112421357B
授权日 :
2022-06-07
发明人 :
廖明龙雷敏胡阿健武春风李强姜永亮刘厚康宋祥
申请人 :
武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号
代理机构 :
武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李恭渝
优先权 :
CN202011068245.X
主分类号 :
H01S3/067
IPC分类号 :
H01S3/067 H01S3/094 H01S3/10
法律状态
2022-06-07 :
授权
2021-03-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 3/067
申请日 : 20201008
申请日 : 20201008
2021-02-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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