射频开关电路和射频开关装置
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种射频开关电路及射频开关装置,所述射频开关电路包括至少一个射频信号通路,所述射频信号通路包括:信号输入端,用于输入射频信号;信号输出端,用于输出射频信号;以及串联支路,所述串联支路被配置在所述信号输入端和所述信号输出端之间,所述串联支路包括一个MOS晶体管或者通过源端和漏端顺序连接的多个MOS晶体管,承载所述MOS晶体管的衬底依次包括衬底区、深阱区及阱区,所述衬底区和所述深阱区构成第一寄生二极管,所述深阱区和所述阱区构成第二寄生二极管,所述MOS晶体管的阱端和深阱端浮空,所述MOS晶体管的衬底端接地或接负电位。本申请技术方案的射频开关电路可以在不降低线性度的情况下,降低射频开关电路的插入损耗。

基本信息
专利标题 :
射频开关电路和射频开关装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114362735A
申请号 :
CN202011092605.X
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2020-10-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱红卫
申请人 :
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
天津市西青区兴华道19号
代理机构 :
北京市一法律师事务所
代理人 :
刘荣娟
优先权 :
CN202011092605.X
主分类号 :
H03K17/687
IPC分类号 :
H03K17/687  
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20201013
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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