三态内容可寻址存储器及其存储单元
公开
摘要
一种三态内容可寻址存储器及其存储单元被提出。三态内容可寻址存储单元包括第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管具有栅极端接收选择信号，第一晶体管的第一端耦接至匹配线，第一晶体管的第二端耦接至源极线。第二晶体管具有栅极端接收反向选择信号，第二晶体管的第一端耦接至匹配线，第二晶体管的第二端耦接至源极线。其中，第一晶体管以及第二晶体管都具有电荷储存结构。
基本信息
专利标题 ：
三态内容可寻址存储器及其存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300016A
申请号 ：
CN202011115752.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾柏皓
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张琛
优先权 ：
CN202011115752.4
主分类号 ：
G11C15/04
IPC分类号 ：
G11C15/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C15/00
所存储的信息是由一个或多个被写入的特征部分所组成并且该信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存储器，即相联存储器或内容编址存储器
G11C15/04
应用半导体元件的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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