一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法，所述MOS开关通用吸收电路包括：硬开关MOS管、与硬开关MOS管连通的电平输入端、箝位电容、以及控制箝位电容与硬开关MOS管连通与否的吸收控制单元；吸收控制单元包括箝位MOS管，箝位MOS管的源极与电平输入端连接，箝位MOS管的漏极通过箝位电容与硬开关MOS管的漏极连接，箝位MOS管的栅极、源极间还并联有与电平输入端、箝位电容串联的箝位二极管；一充放电单元与箝位MOS管的栅极及电平输入端连接。解决了现有吸收电路中MOS开关速度慢、能量耗散大的问题；且结合充放电单元，实现了对箝位电容与硬开关MOS管并联与否的自动控制，使得本发明的结构及方法，在MOS开关种类的应用中具有极强的通用性。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS开关吸收电路、系统及尖峰电压吸收方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114389442A
申请号 ：
CN202011129949.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈睿赵振江靳本豪李诚孙哲锋朱配清王烨李侃赵学荟胡立庆
申请人 ：
航天科工惯性技术有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区海鹰路1号院2号楼3层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011129949.3
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H02M1/08
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/32
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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