一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取电阻率为10Ω.cm‑20000Ω.cm的Si衬底，并根据所述Si衬底的不同电阻率在所述Si衬底的正面生长不同厚度的单晶α‑Al2O3隔离层；在所述单晶α‑Al2O3隔离层上生长AlGaN/GaN异质结外延结构；在所述AlGaN/GaN异质结外延结构上形成源、漏欧姆接触、台面隔离及钝化层，形成栅极以及互连金属，完成器件正面工艺；在对器件正面进行保护的条件下对所述Si衬底的背面进行超深度刻蚀，以暴露栅极与漏极的竖直方向之间区域的所述单晶α‑Al2O3隔离层。本发明通过单晶α‑Al2O3隔离层及硅衬底背面刻蚀工艺来减小硅衬底引入的插入损耗，改善高频漏电情况，能够有效地改善功率附加效率及漏极效率。
基本信息
专利标题 ：
一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112466925A
申请号 ：
CN202011141377.0
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN112466925B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
马晓华杜佳乐侯斌芦浩杨凌牛雪锐张新创贾富春郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202011141377.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201022
申请日 : 20201022
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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