一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法
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摘要
本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。
基本信息
专利标题 ：
一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113410124A
申请号 ：
CN202011156074.6
公开（公告）日 ：
2021-09-17
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN113410124B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
孔金丞宋林伟吴军李东升黄元晋王文金王志斌陈姗黄蓓陶丽明姬荣斌
申请人 ：
昆明物理研究所
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 ：
昆明今威专利商标代理有限公司
代理人 ：
赛晓刚
优先权 ：
CN202011156074.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L31/18 H01L31/0296 H01L31/101
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-10-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2021-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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