一种基于MOS管的升压供电和输入输出电路
授权
摘要
本发明公开了一种基于MOS管的升压供电和输入输出电路，在仅有较低压MOS管器件，且其供电和输入输出接口仅支持较低压的情况下，采用带隙基准电路和低压差线性稳压电路，将较高供电压，经数个电阻分压，使MOS管导通或关断，降低供电电压，采用数组反相电路和交叉互锁反相电路级联，将较低输出电平，经多次反相，调整各MOS管的供电电压，升高输出电平，采用二极管组和TTL输入电路，将较高输入电平，经二极管限压，降低输入电平，实现了芯片兼容较高电平输入信号，以及较高电平输出信号，能够使芯片应用于较高电压的场合。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MOS管的升压供电和输入输出电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112181041A
申请号 ：
CN202011156238.5
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN112181041B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
周阳阳张浩万川川
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十四研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市雨花台区国睿路8号
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
康翔
优先权 ：
CN202011156238.5
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 1/56
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
