测试结构、测试结构形成方法及工作方法
实质审查的生效
摘要
一种测试结构、测试结构形成方法及工作方法,结构包括:衬底;位于衬底上的呈M行×N列阵列排布的测试单元,M为大于1的自然数,N为大于1的自然数,测试单元包括:若干沿第一方向平行排列的栅极结构、以及位于相邻栅极结构之间的若干第一金属层,第一方向平行于衬底表面;若干位于第一金属层上的第二金属层,任一第二金属层与一个第一金属层电连接,第二金属层的延伸方向与第一金属层的延伸方向平行;M根第三金属层,任一第三金属层与沿第一方向平行排列的一行栅极结构电连接,第三金属层平行于第一方向;与M根第三金属层电连接的第四金属层,第四金属层、第三金属层和第二金属层位于同一层。所述测试结构的工作效率得到提升。
基本信息
专利标题 :
测试结构、测试结构形成方法及工作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496989A
申请号 :
CN202011157504.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李美惠杨莉娟
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐文欣
优先权 :
CN202011157504.6
主分类号 :
H01L23/544
IPC分类号 :
H01L23/544 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/544
加到半导体器件上的标志,例如注册商标、测试图案
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/544
申请日 : 20201026
申请日 : 20201026
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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