电子传输辅助层及辅助材料的制备方法、光电器件
公开
摘要
本申请属于光电技术领域，尤其涉及一种电子传输辅助层，一种电子传输辅助材料的制备方法，以及一种光电器件。其中，电子传输辅助层包含有二维烯半导体材料和/或氮化后的二维烯半导体材料。本申请电子传输辅助层，电子迁移率高，具有一定的势垒，LUMO能级略高于电子传输层，既有利于电子注入发光层中，又能够阻止发光层中空穴穿越至电子传输层，提高发光层中电子与空穴的复合效率，从而提高光电器件的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
电子传输辅助层及辅助材料的制备方法、光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497397A
申请号 ：
CN202011162656.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴劲衡吴龙佳何斯纳
申请人 ：
TCL科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
曹柳
优先权 ：
CN202011162656.5
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 C01B33/02 C01B32/194 C01B32/15 B82Y40/00
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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