梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点，属于量子点制备技术领域。方法包括以下步骤：S1、将Cd源、Se源、配位溶剂和非配位溶剂混合，得到混合溶液；S2、将步骤S1的混合溶液升温至第一温度保温，然后降温至第二温度保温，得到含有量子点晶核的混合溶液；S3、将步骤S2的混合溶液升温至第三温度保温；S4、将步骤S3的混合溶液升温至第四温度保温，形成CdSe量子点；其中，第一温度和第二温度的温度差为10‑30℃。本发明通过控制成核温度和晶核熟化温度，使生长阶段的单体浓度始终维持在成核临界浓度以下、生长临界浓度以上，保证成核与生长过程分离开，以提高由晶核生长形成的量子点尺寸的均一性，制备得到的量子点半峰宽极窄。
基本信息
专利标题 ：
梯度变温合成CdSe量子点的方法及CdSe量子点
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114479862A
申请号 ：
CN202011164910.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞代文朱小波朱东亮董博然郭三维徐越朱晓亮
申请人 ：
武汉珈源同创科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号生物创新园B6栋一楼A014室
代理机构 ：
北京隆源天恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴航
优先权 ：
CN202011164910.5
主分类号 ：
C09K11/88
IPC分类号 ：
C09K11/88 B82Y20/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C09
染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用
C09K
不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用
C09K11/00
发光材料，例如电致发光材料、化学发光材料
C09K11/08
含无机发光材料
C09K11/88
含硒、碲或未指明的硫属元素
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C09K 11/88
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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