一种高分断熔断器及其制备方法
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摘要
本发明涉及一种高分断熔断器及其制备方法，其中高分断熔断器的绝缘管上设有抑电层，抑电层与熔体为并联结构且同时作为两条导电的电路；当熔体处于未熔断状态时，所述抑电层的阻值大于熔体的阻值，电流只从熔体流通；当电路发生短路状况时，电路中出现高电流，熔体处于熔断过程中直至熔体的阻值大于抑电层的阻值。此时部分电流会从抑电层处流通，熔体发热的能量也会被抑电层里的功能层的填充料迅速吸收，避免了能量完全从绝缘管中释放，提高了熔断器的分断能力。
基本信息
专利标题 ：
一种高分断熔断器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112233947A
申请号 ：
CN202011169587.0
公开（公告）日 ：
2021-01-15
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
CN112233947B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
杨漫雪桑玲玲田思雨李丽
申请人 ：
南京萨特科技发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市青马路6号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张弛
优先权 ：
CN202011169587.0
主分类号 ：
H01H85/02
IPC分类号 ：
H01H85/02 H01H85/22 H01H85/38
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01H
电开关；继电器；选择器；紧急保护装置
H01H85/00
电流通过其可熔材料的部分，当此电流过大时，由于可熔材料的熔断而使电流中断的保护装置
H01H85/02
零部件
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-02-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01H 85/02
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2021-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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