提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质。该方法包括获取晶圆外围电路区域的灰阶图;将所述灰阶图划分为至少一个像素区域;确定每个所述像素区域中的重复图像区域,所述重复图像区域为N*M像素点区域,所述重复图像区域中同一列的M个像素点的灰阶值相同;其中,N和M为大于0的整数;根据所述灰阶图中所有的所述重复图像区域,确定所述晶圆外围电路区域的出现干涉叠加的位置信息。本申请的方法可以更精准、更全面得确定出外围电路区域的重复图像区域,解决现有技术暗场扫描检测晶圆的灵敏度低,无法有效检测出晶圆的缺陷,检测效率低的问题。

基本信息
专利标题 :
提高晶圆检测灵敏度的方法、装置以及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114429915A
申请号 :
CN202011177610.0
公开(公告)日 :
2022-05-03
申请日 :
2020-10-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杜冉
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 :
张娜
优先权 :
CN202011177610.0
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20201029
2022-05-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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