具有确定性切换和高数据保持的磁存储器单元
公开
摘要
一种磁存储器（MRAM）单元（1），包括:第一层（5），其由大体导电的材料形成；以及在所述第一层（5）上形成的磁隧道结（MTJ）堆叠（10），其中所述MTJ堆叠（10）包括:具有面内参考磁化（130）的铁磁参考层（13）；隧道阻挡层（12）；以及所述隧道阻挡层（12）和所述第一层（5）之间的铁磁存储层（11），所述存储层（11）具有面内存储磁化（110）；其中所述MTJ堆叠（10）包括用于在存储层（11）中提供面内单轴各向异性（211）的布置；其中所述面内单轴各向异性（211）相对于所述写入电流（20）的方向成5°至90°之间的角度（θ），以及其中所述面内单轴各向异性（211）具有40至200kBT之间的能量和大于200 Oe的矫顽力。
基本信息
专利标题 ：
具有确定性切换和高数据保持的磁存储器单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447211A
申请号 ：
CN202011202682.6
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·库拉M·德鲁阿尔G·高丁J-P·诺济耶尔
申请人 ：
安塔利斯;国家科学研究中心;原子能与替代能源委员会
申请人地址 ：
法国蒙特邦奥圣马尔坦
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨子硕
优先权 ：
CN202011202682.6
主分类号 ：
H01L43/02
IPC分类号 ：
H01L43/02 H01L43/08
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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