本发明提供一种变网格的芯粒排布寻优算法，本发明包括如下步骤：S1:建立直角坐标系，该直角坐标系的X、Y轴与晶圆边缘相切；S2：以所述直角坐标系的坐标原点为起点，采用二分法找到Die排布的X方向和Y方向偏移量的最优组合，使所述晶圆上划分出的Die数量最多，得到Die的阵列排布；S3:根据S2得到的Die排布，设定单个曝光单元Shot的X方向和Y方向偏移量，使覆盖所述晶圆所需的Shot数目最少，得到Shot排布；本发明提供的变网格的芯粒排布寻优算法，计算量远远小于现有的固定网格寻优算法，大大缩短了计算时间，同时加入结果判断，确保结果的准确性。该发明有效克服了现有技术中寻优计算量大、耗时长、结果不准确等缺点，在半导体制造领域具有较高的实用价值。