用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件，其包括衬底和外延层，所述外延层内分布有沟道区、漂移区、阱区和埋层区，所述漂移区内形成有漏区，所述阱区内形成有源区和掺杂区，所述沟道区还分别与所述源区、漂移区电性连接，所述源区还与所述掺杂区电性接触或电性结合；以及，源极、漏极、栅极和场板，所述源极、漏极分别与源区、漏区电性连接，所述源极还与所述衬底电性连接，至少所述漂移区的部分区域位于所述场板和埋层区之间；其中，所述衬底、外延层、阱区、埋层区和掺杂区均为第一掺杂类型，所述沟道区、漂移区、源区、漏区均为第二掺杂类型。本发明通过埋层区与顶层场板对漂移区电场形成双重降低表面电场，可以提高器件的BV。
基本信息
专利标题 ：
用于射频放大的双重降低表面电场RFLDMOS器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497172A
申请号 ：
CN202011259285.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岳丹诚彭虎莫海锋
申请人 ：
苏州华太电子技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
赵世发
优先权 ：
CN202011259285.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/40 H01L29/78
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201112
申请日 : 20201112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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