驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路

实质审查的生效

摘要

本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路，属于SiC MOSFET驱动技术领域，解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiC MOSFET器件、电源V_G1～V_G2、开关管S₁～S₆，电阻R_G1～R_G2；其中，控制芯片，用于输出开关管S₁～S₆控制信号至开关管S₁～S₆的栅极；开关管S₁、S₂的漏极分别与电源V_G1的正极连接；开关管S₃～S₅的漏极分别与电源V_G1的负极、电源V_G2的负极连接，并接地；开关管S₆的漏极与电源V_G2的正极连接；并且，开关管S₁、S₃的源极分别经电阻R_G1与SiC MOSFET器件的栅极连接，开关管S₂、S₄的源极分别经电阻R_G2与SiC MOSFET器件的栅极连接；开关管S₅、S₆的源极与SiC MOSFET器件的源极连接。该电路能够保证SiC MOSFET器件安全可靠运行。

基本信息

专利标题：

驱动电压和电阻可调的SiC MOSFET驱动控制电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114499113A

申请号：

CN202011263085.4

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2020-11-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

胡西红秦东东吴元元袁红升

申请人：

北京机械设备研究所

申请人地址：

北京市海淀区永定路50号（北京市142信箱208分箱）

代理机构：

北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

窦艳鹏

优先权：

CN202011263085.4

主分类号：

H02M1/08

IPC分类号：

H02M1/08

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20201112

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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