一种GaN晶体管驱动电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种GaN晶体管驱动电路。其用于一被驱动GaN晶体管，包括上下管电路和上下管控制电路，所述上下管电路包括上管和下管，所述上管和下管均为GaN晶体管，所述上管的漏极与电源电压VCC相连，栅极与数字输入VIN相连，源极与下管的漏极相连，并作为GaN晶体管驱动电路的输出与被驱动GaN晶体管的栅极相连；下管的栅极与上下管控制电路相连接；该上下管控制电路利用母线电压VD、电源电压VCC以及数字输入VIN，对所述下管进行控制，从而使所述GaN晶体管驱动电路的输出与数字输入VIN同相，所述上下管控制电路包括晶体管，并且所包括的晶体管均为GaN晶体管，在栅极被施加高于阈值电压的电压时导通。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN晶体管驱动电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114513201A
申请号 ：
CN202011282053.9
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈欣璐黄兴
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区平澜路518号悦盛国际中心603室
代理机构 ：
北京知夏律师事务所
代理人 ：
孙海龙
优先权 ：
CN202011282053.9
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20201117
申请日 : 20201117
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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