基于半导体粉料摩擦催化的二氧化碳还原方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种基于半导体粉料摩擦催化的二氧化碳还原方法，其特征在于：在溶解有二氧化碳的溶液中，加入具有摩擦催化性能的半导体粉料和有机摩擦材料，使半导体粉料和有机摩擦材料相互摩擦，将溶液中的二氧化碳还原成一氧化碳和甲烷。本发明首次实现了将机械能用于二氧化碳的还原上，在溶解有二氧化碳的水溶液中，加入具有摩擦催化性能的半导体粉料，然后加入一些有机材料，例如加入较多的具有特氟龙表面(或者其他高分子材料涂层)的磁子进行磁力搅拌，通过氧化物半导体粉料与特氟龙(或者其他高分子材料涂层)之间的摩擦即可以使溶液中的二氧化碳高效地被还原为甲烷和一氧化碳，为二氧化碳的还原提供了一种全新的方案。
基本信息
专利标题 ：
基于半导体粉料摩擦催化的二氧化碳还原方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114538442A
申请号 ：
CN202011300518.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈万平李鹏程肖湘衡唐重阳
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
俞琳娟
优先权 ：
CN202011300518.9
主分类号 ：
C01B32/40
IPC分类号 ：
C01B32/40 C07C1/20 B01J31/06 B01J31/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/40
一氧化碳
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/40
申请日 : 20201119
申请日 : 20201119
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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