基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构
授权
摘要

本发明公开了一种基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构,包括电流比较器、第一行译码器、第二行译码器、第一列译码器、第二列译码器、第一多路选择器、第二多路选择器、第一核心单元阵列及第二核心单元阵列,核心阵列中的基本单元均由去硅化物接触孔晶体管构建得到。本发明基于集成电路设计技术,属于集成电路硬件安全技术领域,基于半导体加工工艺的偏差来获得去硅化物接触孔电阻阻值的一个分布,并利用该阻值分布作为构建物理不可克隆函数的熵源。该物理不可克隆函数电路结构通过较小的面积尺寸即可满足熵源对随机性的要求,并且在环境温度大范围变化的情况下仍然具有极高的可靠性。

基本信息
专利标题 :
基于去硅化物接触孔的物理不可克隆函数电路结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112417523A
申请号 :
CN202011301578.2
公开(公告)日 :
2021-02-26
申请日 :
2020-11-19
授权号 :
CN112417523B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
赵晓锦彭乔舟许婷婷
申请人 :
深圳大学
申请人地址 :
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 :
深圳市精英专利事务所
代理人 :
涂年影
优先权 :
CN202011301578.2
主分类号 :
G06F21/72
IPC分类号 :
G06F21/72  G06F21/76  G06F7/58  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F21/00
防止未授权行为的保护计算机、其部件、程序或数据的安全装置
G06F21/70
保护特定的内部或外部计算机组件,即保护一个组件从而保护整个计算机
G06F21/71
确保安全计算或信息处理
G06F21/72
在加密电路中
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-03-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 21/72
申请日 : 20201119
2021-02-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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