一种基于低互耦效应的低剖面波导平板阵列天线
公开
摘要
本发明涉及一种基于低互耦效应的低剖面波导平板阵列天线，包括：辐射层、矩形激励腔体层和馈电网络层，其中，辐射层和馈电网络层分别设置在矩形激励腔体层的两侧；辐射层上设置有辐射缝、第一匹配阶梯和去耦栅，第一匹配阶梯设置在辐射缝中且靠近辐射缝的侧壁，去耦栅设置在相邻辐射缝的横向中心；矩形激励腔体层上设置有矩形腔、第二匹配阶梯和矩形窗口，第二匹配阶梯设置在矩形腔中且靠近矩形腔的侧壁，第二匹配阶梯与第一匹配阶梯相互对应设置，矩形窗口设置在矩形腔的中心；馈电网络层形成波导E‑T馈电网络。波导平板阵列天线中设置相互对应的第一匹配阶梯和第二匹配阶梯，实现了阵列天线平面化、高增益、宽频带的特性要求。
基本信息
专利标题 ：
一种基于低互耦效应的低剖面波导平板阵列天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530689A
申请号 ：
CN202011324678.7
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2020-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张小磊王孟李创波
申请人 ：
西安三维通信有限责任公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八五路高科尚都.摩卡6幢1单元20层12003室
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
闫家伟
优先权 ：
CN202011324678.7
主分类号 ：
H01Q1/36
IPC分类号 ：
H01Q1/36 H01Q1/38 H01Q21/00
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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