一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法，包括Ge衬底，在Ge衬底上按照层状叠加结构由下至上依次设有Ge子电池、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、组分渐变缓冲层、DBR反射层、GaInAs子电池、第二隧穿结、AlGaInAs子电池、第三隧穿结、AlGaInP子电池；AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池的基区与发射区之间形成耗尽层，基区和发射区为带隙渐变结构，通过在含Al子电池中引入带隙渐变结构，提高了耗尽层的材料质量，降低光生载流子主要产生区域的少子复合速率，提高光生载流子收集效率，同时，渐变的带隙具有辅助背场的作用，使远离耗尽层的光生载流子向耗尽层漂移，远离耗尽层的Al组分使含Al子电池的有效带隙更宽，有利于获得更高开路电压。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量四结空间太阳电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112447868A
申请号 ：
CN202011331408.9
公开（公告）日 ：
2021-03-05
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
CN112447868B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
黄珊珊刘建庆黄辉廉刘恒昌刘雪珍杨文奕
申请人 ：
中山德华芯片技术有限公司
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯炳辉
优先权 ：
CN202011331408.9
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/0687 H01L31/18
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-03-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0304
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2021-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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