一种单组份热界面材料及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种单组份热界面材料及其制备方法，单组份热界面材料包括以下质量分数的原料组份制成：端乙烯基聚硅氧烷1‑10％、端含氢聚硅氧烷0.1‑3.6％、侧含氢聚硅氧烷0.1‑3.4％、催化剂0.01％、抑制剂0.003％、改性填料85‑95％；所述改性填料为硅烷偶联剂改性导热粉体。本发明提供的单组份热界面材料具有高导热性能、高伸长、低模量、低粘合层厚度和低热阻，而且具有优异的浸润性能，能满足芯片封装工艺流程和技术的严苛需求，并具有高度应用可靠性，可以为芯片提供合适、稳定和健康工作温度环境，提高芯片的寿命和效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单组份热界面材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114539780A
申请号 ：
CN202011333443.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任琳琳许永伦曾小亮孙蓉
申请人 ：
深圳先进电子材料国际创新研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福永街道龙王庙工业区
代理机构 ：
北京市诚辉律师事务所
代理人 ：
李玉娜
优先权 ：
CN202011333443.4
主分类号 ：
C08L83/07
IPC分类号 ：
C08L83/07 C08L83/05 C08K9/06 C08K7/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L83/00
由只在主链中形成含硅的，有或没有硫、氮、氧或碳键的反应得到的高分子化合物的组合物；此种聚合物的衍生物的组合物
C08L83/04
聚硅氧烷
C08L83/07
含连接到不饱和脂族基团的硅的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08L 83/07
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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