一种功率半导体器件及电子设备
公开
摘要
本申请提供了一种功率半导体器件及电子设备，功率半导体器件包括外延层以及两个场效应晶体管，外延层设置有一个沟槽，两个场效应晶体管镜像对称。每个场效应晶体管包括串联的第一MOS结构和第二MOS结构。第一MOS结构的第一沟道与第二MOS结构的第二沟道沿沟槽的深度方向间隔排列；第一MOS结构的第一栅极和第二MOS结构的第二栅极沿沟槽的深度方向间隔排列。在上述技术方案中，通过第一栅极和第二栅极沿所述沟槽深度方向纵向排布，从而减少场效应晶体管的横向占用的尺寸。第一MOS结构和第二MOS结构共享漂移区，降低了漂移区的电阻，并通过两个相同的场效应晶体管对称背靠背并联，降低了功率半导体器件单位面积特征导通电阻。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582864A
申请号 ：
CN202011379684.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王怀锋张栋梁杨成军胡善柏
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
望紫薇
优先权 ：
CN202011379684.2
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/06 H01L29/423 H02J7/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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