半导体晶片的金属化
公开
摘要
本发明涉及一种制造半导体晶片的方法，包括：i)将MOD油墨组合物施加到半导体晶片上，从而形成前体层；ii)对前体层进行固化处理。在一个实施方案中，步骤i)的施加通过喷墨印刷进行。该喷墨印刷MOD油墨的方法设备成本低、功耗低；无材料浪费；按需即喷，易于实现选择性沉积/设计灵活性(不需要蚀刻)。此外，本发明的方法改善了晶片背面金属化层的粘附性和导电性。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片的金属化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582708A
申请号 ：
CN202011393016.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈仿忠刘二微王岚K-U·博尔特
申请人 ：
贺利氏德国有限及两合公司
申请人地址 ：
德国哈瑙
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林柏楠
优先权 ：
CN202011393016.5
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L23/482 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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