一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置
公开
摘要
本发明公开一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置，涉及半导体制造设备技术领域，用于解决处理腔中的密封件容易受到高温及等离子体影响，从而导致处理腔的密封性不能满足密封需求的技术问题。所述半导体制造处理腔包括：至少一处连接结构；密封件，密封件置于连接结构中，用于对处理腔进行密封；气体通道，气体通道的进气口与气体发生装置连接，气体通道的出气口位于连接结构中，用于向连接结构通入惰性气体，以隔离密封件与处理腔中的处理气体。所述气体发生装置向半导体制造处理腔提供惰性气体。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597108A
申请号 ：
CN202011409011.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑宇现李俊杰李琳王佳周娜
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011409011.7
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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