一种硫掺杂含氧空位的三氧化钼材料以及电化学还原处理氯霉素...
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摘要
本发明提供了一种电化学还原处理氯霉素的方法，包括以下步骤：S1)制备硫掺杂含氧空位的三氧化钼材料：以钼粉为原料，过氧化氢为氧化剂，在乙醇溶剂中高压反应合成片层状含氧空位三氧化钼材料；以硫粉为硫源，与上述片层状含氧空位三氧化钼材料混合，进行高温气相沉积，得到S‑MoO3‑x；S2)将S‑MoO3‑x均匀负载于碳纸表面，得到硫掺杂含氧空位三氧化钼电极：S3)以硫掺杂含氧空位三氧化钼电极作为阴极，在含氯霉素电解液中进行电化学脱氯反应。本发明通过引入氧空位和硫元素，得到硫掺杂氧空位三氧化钼材料，实现了短时间内达到脱氯脱毒的效果，且其适用的pH范围较宽。
基本信息
专利标题 ：
一种硫掺杂含氧空位的三氧化钼材料以及电化学还原处理氯霉素的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112723488A
申请号 ：
CN202011442754.4
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
CN112723488B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
陈洁洁程瑞芬俞汉青
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
夏菁
优先权 ：
CN202011442754.4
主分类号 ：
C02F1/461
IPC分类号 ：
C02F1/461 C02F101/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C02
水、废水、污水或污泥的处理
C02F
水、废水、污水或污泥的处理
C02F1/00
水、废水或污水的处理C02F3/00至C02F9/00优先）
C02F1/46
用电化学方法
C02F1/461
用电解法
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C02F 1/461
申请日 : 20201208
申请日 : 20201208
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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