一种二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法及所制备的复...
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摘要
本发明涉及钠离子电池负极材料技术领域，具体涉及一种二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法及所制备的复合材料。本发明利用模板法使硅酸钴盐纳米片原位生长在二氧化硅球的表面，然后将聚多巴胺包覆在硅酸钴盐表面，在后期热处理过程中，聚多巴胺碳化生成的碳吸附在硅酸钴盐纳米片表面，整体形成碳纳米花状，硅酸钴盐被碳部分还原得到的钴前驱体原位生长在碳纳米花之上，钴前驱体在硫化作用下生成纳米级二硫化钴，利用氢氟酸与二氧化硅核反应去掉模板，得到二硫化钴/碳空心纳米花复合材料。本发明所制备的二硫化钴/碳纳米花复合材料作为钠离子电池负极材料具有优异的循环稳定性和倍率性能。
基本信息
专利标题 ：
一种二硫化钴/碳空心纳米花复合材料的制备方法及所制备的复合材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112563471A
申请号 ：
CN202011455763.7
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
CN112563471B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王冠琴闫洋洋谢凯谭秀峰张杰
申请人 ：
潍坊科技学院
申请人地址 ：
山东省潍坊市寿光市潍坊科技学院金光街1299号
代理机构 ：
深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王庆海
优先权 ：
CN202011455763.7
主分类号 ：
H01M4/36
IPC分类号 ：
H01M4/36 B82Y30/00 B82Y40/00 H01M4/58 H01M4/587 H01M4/62 H01M10/054
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法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01M 4/36
申请日 : 20201210
申请日 : 20201210
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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