液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中的低熔点金属污染...
公开
摘要
本发明公开了一种液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中的低熔点金属污染控制方法，属于定向凝固技术领域。该方法是在采用液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中，预先充入一定量的高纯氩气，并在保温炉与低熔点熔池之间采用动态隔热层进行隔热，有效控制低熔点金属Sn的挥发，进而控制单晶叶片中的Sn元素含量。采用本发明控制方法制备的单晶叶片中Sn元素含量小于10ppm。
基本信息
专利标题 ：
液态金属冷却定向凝固法制备单晶叶片过程中的低熔点金属污染控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622281A
申请号 ：
CN202011458192.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张健申健董加胜楼琅洪
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 ：
于晓波
优先权 ：
CN202011458192.2
主分类号 ：
C30B29/52
IPC分类号 ：
C30B29/52 C30B11/00 B22D27/00 B22D27/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/52
合金
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
