一种具有渗透过渡层的SiC涂层石墨基座
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摘要
本发明提供了一种具有渗透过渡层的SiC涂层石墨基座,包括:石墨基座;所述石墨基座上周向设置有多个凹槽,每个所述凹槽的底部均设置有外凸结构;所述石墨基座上的侧壁沿周向设置有滑槽,所述滑槽的内部等距间隔设置有阻隔块,任意相邻的两个阻隔块之间相距形成滑动腔,每个所述滑动腔的内部滑动设置有平衡装置。本发明中,通过在石墨基座旋转过程中,多个滑动设置的平衡装置随之旋转,将旋转过程中的产生的不协调力传导至外围的平衡装置上使石墨基座保持平衡,使位于凹槽内部的外延片运行稳定,不损坏SiC涂层。
基本信息
专利标题 :
一种具有渗透过渡层的SiC涂层石墨基座
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114622185A
申请号 :
CN202011461289.9
公开(公告)日 :
2022-06-14
申请日 :
2020-12-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
汪洋
申请人 :
湖南德智新材料有限公司
申请人地址 :
湖南省株洲市天元区中国动力谷自主创新园(研发中心C栋2楼202号)
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202011461289.9
主分类号 :
C23C16/458
IPC分类号 :
C23C16/458 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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