一种直流-交流变换器拓扑结构及其控制策略
授权
摘要
本发明公开了一种直流‑交流变换器拓扑结构，包括采用Si‑IGBT器件构成的主单元、采用SiC‑MOSFET器件构成的从单元、工频变压器；主单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路a，逆变电路a连接LC滤波电路a，LC滤波电路a输出端串联工频变压器的初级绕组，LC滤波电路a输出端还连接负载；从单元包括连接直流侧输入电压的逆变电路b，逆变电路b连接LC滤波电路b，LC滤波电路b串联工频变压器的次级绕组；将SiC‑MOSFET开关损耗小与Si‑IGBT电流能力强的优点有效结合起来，极大地降低了Si‑IGBT的开关频率，使高频工作的SiC‑MOSFET流过较小电流，降低了开关损耗，提高了系统的工作效率。
基本信息
专利标题 ：
一种直流-交流变换器拓扑结构及其控制策略
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112751498A
申请号 ：
CN202011501544.8
公开（公告）日 ：
2021-05-04
申请日 ：
2020-12-17
授权号 ：
CN112751498B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘闯蔡国伟庄可好裴忠晨朱帝姜宇
申请人 ：
东北电力大学
申请人地址 ：
吉林省吉林市船营区长春路169号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
戴媛
优先权 ：
CN202011501544.8
主分类号 ：
H02M7/5387
IPC分类号 ：
H02M7/5387 H02M7/5395 H02M1/12
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 7/5387
申请日 : 20201217
申请日 : 20201217
2021-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
