一种集成射频、静电防护器件的火工品换能元的制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种集成射频、静电防护器件的火工品换能元的制备方法，至少包括以下步骤：步骤S1：在N型重掺杂衬底上采用外延工艺形成N‑外延层；步骤S2：在N‑外延层上形成热氧化形成绝缘层，通过光刻形成注入区开口；步骤S3：在N‑外延层上采用离子注入或者扩散的方式制备两个注入区，经过退火形成PN结的P区，与N‑外延层形成PN结；步骤S4：在绝缘层上形成换能元并与P区电气连接使两个PN结背靠背连接的并联支路；步骤S5：在换能元上形成电极层以与外部电路相连接。采用本发明的制备工艺，能够按照需求，向专业的外延片供应商定制所需要的外延片厚度和电阻率，来到达所需的保护电压，简化了对后续集成火工品制作对工艺参数的控制要求。
基本信息
专利标题 ：
一种集成射频、静电防护器件的火工品换能元的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112701086A
申请号 ：
CN202011583205.9
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
CN112701086B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
何兆军
申请人 ：
浙江华泉微电子有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道垦塔西路111号
代理机构 ：
杭州昱呈专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
雷仕荣
优先权 ：
CN202011583205.9
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/822
申请日 : 20201228
申请日 : 20201228
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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