SON结构及其制备方法
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摘要
本发明提供一种SON结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底上形成中间氧化层；在中间氧化层中制备包括第一沟槽、第二沟槽和呈环形的第三沟槽的沟槽组合结构，第二沟槽与第一沟槽连通且包括延伸至中间氧化层端部的单元行；在第二半导体衬底中形成缺陷层；将第二半导体衬底与中间氧化层键合；自缺陷层处剥离第二半导体衬底。本发明提供一种非真空制备SON的方法，在氧化工艺形成的中间氧化层中制备沟槽组合结构，通过第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽的组合，相当于空腔结构中窗口图形通过条状沟槽与圆环沟槽相连，并且有一定数量的条状沟槽延伸到硅片边缘，使其与外部空气联通，保证内外压强一致，同时解决了空洞内的气体受热膨胀和真空导致机械强度问题。
基本信息
专利标题 ：
SON结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112701128A
申请号 ：
CN202011589458.7
公开（公告）日 ：
2021-04-23
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112701128B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张洋徐德辉荆二荣
申请人 ：
上海烨映微电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区菊园新区胜竹路1399号2幢2层236室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
佟婷婷
优先权 ：
CN202011589458.7
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/762
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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