一种适用于导电熔体流动的加热器生成磁场控制方法
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摘要

一种适用于导电熔体流动的加热器生成磁场控制方法,该方法在晶体生长和材料冶炼过程中,在导电熔体外围设置侧部和顶部两个电阻加热器,每个电阻加热器有3个电极,用以接入三相交变电流。通有交变电流的两组电阻加热器能够在空间感应产生磁场,所述磁场在导电熔体内产生的感应电流和磁场相互作用产生能够影响熔体流动的洛伦兹力。本发明通过调节两个电阻加热器接入电流的参数组合方式来改变熔体中洛伦兹力的大小与方向分布,以此主动控制熔体流动,进而改善晶体生长和材料冶炼过程中的温度分布、凝固界面形状以及组分分布,例如在侧部和顶部电阻加热器中采用不同的三相电流接入方向,可以改变熔体的流动结构与强度,进而改善温度和组分分布等。

基本信息
专利标题 :
一种适用于导电熔体流动的加热器生成磁场控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112746310A
申请号 :
CN202011607584.0
公开(公告)日 :
2021-05-04
申请日 :
2020-12-29
授权号 :
CN112746310B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
李早阳刘文超刘立军孙聂枫邱爱春
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 :
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 :
闵岳峰
优先权 :
CN202011607584.0
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B28/06  C22C1/02  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2022-04-22 :
授权
2021-05-21 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 11/00
申请日 : 20201229
2021-05-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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