一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法
授权
摘要
本发明为一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法，该方法利用有机混合溶液作为晶体生长溶剂，可在低于100℃的条件下，通过CsX和CuX反应，快速生长出高质量、大尺寸的Cs3Cu2X5单晶。本发明所述方法具有制造周期短、低成本、易操作、环境友好等特点，合成的晶体尺寸可达到超厘米量级，生长单晶衍射角小于0.03度。
基本信息
专利标题 ：
一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112853466A
申请号 ：
CN202011643190.0
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112853466B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王迪葛传楠韩美娜
申请人 ：
江苏第二师范学院（江苏省教育科学研究院）
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水区石湫街道新河西路6号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
向妮
优先权 ：
CN202011643190.0
主分类号 ：
C30B7/14
IPC分类号 ：
C30B7/14 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/14
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/14
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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