新型弯管磁过滤多弧靶
授权
摘要
本实用新型涉及弯管磁过滤离子镀膜设备技术领域，尤其是新型弯管磁过滤多弧靶,包括靶座，靶座的一侧固定安装有外屏蔽罩，外屏蔽罩的外侧螺纹连接有调节屏蔽罩，调节屏蔽罩的内侧固定安装有靶材，靶座另一侧的中心位置固定安装有水套座，水套座的外侧固定安装有中空螺纹座，中空螺纹座外侧螺纹连接有螺纹柱，水套座的上方安装有转动轴，转动轴贯穿靶座，且与靶座转动连接，转动轴位于水套座的一端固定安装有动力线圈组，转动轴的另一端固定安装有引弧针，引弧针贯穿转动轴，且与转动轴垂直设置。本实用新型的实用性强，值得推广。
基本信息
专利标题 ：
新型弯管磁过滤多弧靶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020063292.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-13
授权号 ：
CN211497766U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
周焱文
申请人 ：
武汉普迪真空科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新四路40号葛洲坝太阳城23号楼101室
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
周琼
优先权 ：
CN202020063292.4
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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