一种介质填充腔体滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种介质填充腔体滤波器，包括至少两个介质填充腔体谐振器，介质填充腔体谐振器和连接体的连接顺序是介质填充腔体谐振器的侧面与连接体的一侧面连接固定，连接体的另一侧面与另一个介质填充腔体谐振器的侧面连接固定。介质填充腔体谐振器表面开有一个调谐孔，介质填充腔体谐振器和连接体表面以及调谐孔的内壁都覆盖一层银作为导电层。介质填充腔体谐振器和连接体的表面去掉矩形形状的导电层，该矩形区域中部设有一块形状为矩形的负耦合薄片。本实用新型的优点是：通过在由固态介质材料制成的本体上刷银方式的改变实现两侧的谐振器之间的电容耦合，简化了实现电容的耦合的结构的制造工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种介质填充腔体滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020125708.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN211125989U
授权日 ：
2020-07-28
发明人 ：
潘锦杜正军姬新阳杨德强刘贤峰
申请人 ：
成都北斗天线工程技术有限公司;电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市成华区一环路东一段159号电子信息产业大厦1110号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020125708.0
主分类号 ：
H01P1/208
IPC分类号 ：
H01P1/208
法律状态
2020-07-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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