一种SIC涂层高纯石墨盘
授权
摘要
本实用新型提供一种SIC涂层高纯石墨盘，涉及石墨盘技术领域，包括第一石墨盘与第二石墨盘，所述第一石墨盘设在所述第二石墨盘的下方，所述第二石墨盘的顶部分别设有外边缘圆柱槽与内边缘圆柱槽，所述第二石墨盘的底部设有凹槽，所述第一石墨盘的顶部设有通气孔，所述通气孔之间的所述第一石墨盘上设有凸块，所述凸块与所述第一石墨盘相连，所述凸块的顶部设有转头，所述凸块与所述第二石墨盘通过所述转头与所述凹槽匹配相连。本实用新型稳定，外延片的均一性好。
基本信息
专利标题 ：
一种SIC涂层高纯石墨盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020129699.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-20
授权号 ：
CN211713250U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
周英龙
申请人 ：
南京畅鸿新材料有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市高淳区经济开发区古檀大道3号
代理机构 ：
南京常青藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄胡生
优先权 ：
CN202020129699.2
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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