进气分配结构以及等离子体设备
授权
摘要
本实用新型公开了进气分配结构，包括进气管，进气管的一端设有气流导向盘，气流导向盘的远离进气管的侧面与外部真空筒连接，进气管与气流导向盘同轴设置；气流导向盘包括为腔体结构的圆盘体，圆盘体的中部设有与进气管连通的聚气腔，圆盘体上设有多个呈曲线延伸的分流导向通道，分流导向通道的一端与聚气腔连通，分流导向通道的另一端穿过圆盘体与真空筒连通。还公开了等离子体设备。通过设置分配结构，气流经过进气管后会先聚集在聚气腔内，然后沿着分流导向通道曲线移动，行进气流最终从圆盘体进入到真空筒的筒内空间。可对气流进行导向分散和冲击弱化，使得气体更平稳地充满真空筒，有利于提高气相沉积的平稳性。
基本信息
专利标题 ：
进气分配结构以及等离子体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020159607.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN211645376U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
董海青申鹏
申请人 ：
深圳市创智捷科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区航城街道钟屋社区钟屋工业区梅洲五洲电路板厂101号47栋
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汪建华
优先权 ：
CN202020159607.5
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50 B01D46/24 B01D46/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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