应用于SBD的新型分压环结构
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了一种应用于SBD的新型分压环结构，包括：背面金属层；位于背面金属层上的第一导电类型衬底；位于第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的场氧层；位于第一导电类型外延层内的第一浓度的第二导电类型深分压环；位于第一浓度的第二导电类型的深分压环内的第二浓度的第二导电类型浅分压环；位于第一导电类型外延层内的且位于第一浓度的第二导电类型深分压环围成的环形空间内的势垒层；位于场氧层和势垒层上的正面金属层。应用于SBD的新型分压环结构能够在第一导电类型外延层的材料不变的前提下，有效提高应用于SBD的新型分压环结构的耐压性能，在保证成本的同时提高产品的性价比。
基本信息
专利标题 ：
应用于SBD的新型分压环结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020165087.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN211295106U
授权日 ：
2020-08-18
发明人 ：
鄢细根张斌
申请人 ：
凯茂半导体（厦门）有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之906
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202020165087.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872
法律状态
2020-11-24 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/06
登记生效日 : 20201111
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 凯茂半导体（厦门）有限公司
变更后权利人 : 厦门中能微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之906
变更后权利人 : 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之822
登记生效日 : 20201111
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 凯茂半导体（厦门）有限公司
变更后权利人 : 厦门中能微电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之906
变更后权利人 : 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区嵩屿南二路99号1303室之822
2020-08-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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