一种硅基阵列叠层太阳能电池
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO2绝缘层，在n型单晶硅衬底中间及纳米孔内壁制备p型掺杂层，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，TiO2薄膜层层叠于SiO2绝缘层和p型掺杂层之上并填充嵌入纳米孔内。本实用新型通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，同时利用TiO2填充硅孔阵列提高载流子的收集效率，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基阵列叠层太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020169954.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-14
授权号 ：
CN211455704U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
刘玉申况亚伟张树德魏青竹倪志春洪学鹍钱洪强
申请人 ：
常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
张俊范
优先权 ：
CN202020169954.6
主分类号 ：
H01L31/0687
IPC分类号 ：
H01L31/0687 H01L51/42
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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