一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构。该新型耐高温的碳化硅器件封装结构包括：金属外壳、电极管脚、键合线、芯片、上纳米银焊层、覆铜陶瓷基板、下纳米银焊层；所述覆铜陶瓷基板通过下纳米银焊层连接于金属外壳的内侧底部；所述芯片通过上纳米银焊层连接于所述覆铜陶瓷基板上；所述芯片通过键合线与所述电极管脚连接。本实用新型解决目前钎焊与塑封工艺造成碳化硅器件无法工作在200℃以上的高温环境下的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种新型耐高温的碳化硅器件封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020183304.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-19
授权号 ：
CN211265442U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
洪思忠胡羽中
申请人 ：
华芯威半导体科技（北京）有限责任公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院2号楼11层1101
代理机构 ：
北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宇锋
优先权 ：
CN202020183304.7
主分类号 ：
H01L23/06
IPC分类号 ：
H01L23/06 H01L23/15 H01L23/20 H01L23/498 H01L21/50 H01L21/52 H01L21/54
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/06
按容器的材料或其电性能区分的
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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