一种耐高温的半导体原件
授权
摘要
本实用新型公开了一种耐高温的半导体原件，包括装置本体，所述装置本体的顶部设有圆块，所述圆块内对称设有转块、连接柱，所述圆块的表面对称设有圆片，所述圆片靠近圆块的边侧位置，所述圆块的表面设有圆杆、薄膜片，所述圆杆上设有连接杆，所述连接杆上设有捏环；通过设计的捏环，捏环便于捏持且便于调节半导体器件并以适宜位置进行安装，避免因半导体器体体积较小拿捏不稳发生手滑的情况，通过设计的可旋转的圆片，将圆杆两侧的薄膜片揭开，便于将捏环拆卸，避免捏环置于装置本体上占据空间。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高温的半导体原件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020191089.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-21
授权号 ：
CN211578728U
授权日 ：
2020-09-25
发明人 ：
杨帆
申请人 ：
深圳市仁天芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区东华园五栋3楼319
代理机构 ：
深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
叶垚平
优先权 ：
CN202020191089.5
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2020-09-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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