一种埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极
授权
摘要
本实用新型公开了一种埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，包括：罐体，其为由陶瓷半透膜材料一体烧制而成的陶瓷罐，所述罐体的罐身外侧覆盖一层釉层；密封隔板，其固定于所述罐体内部将罐体分为上下两个独立的腔室，上腔室内填充环氧树脂，下腔室内填充硫酸铜晶体；铜棒，其位于硫酸铜晶体内；电缆，其下端连接所述铜棒上端，所述电缆上端向上依次穿过密封隔板、环氧树脂，并穿出罐体外部。本实用新型针对现有参比电极使用寿命达不到要求、罐体易破碎、制作工艺复杂、成本较高等问题，采用带釉层的陶瓷罐作为罐体，且陶瓷罐的底部不上釉，在烧制过程中一体成型，罐体较为坚固，硫酸铜渗透面积小，可以保证使用寿命要求，保证电位的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020208414.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211546668U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
罗晓鸿杨兴乾赵少勇彭雷王威张威谢凡王钻祖云鹤占稳
申请人 ：
贵州乌江水电开发有限责任公司思林发电厂;武汉材料保护研究所有限公司;武汉华润燃气有限公司黄陂分公司
申请人地址 ：
贵州省铜仁市思南县思林乡
代理机构 ：
北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘艺玮
优先权 ：
CN202020208414.4
主分类号 ：
C23F13/10
IPC分类号 ：
C23F13/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F13/00
用阳极或阴极保护法的金属防腐蚀
C23F13/02
阴极的；阴极保护的条件、参数或工艺，如电条件的选择
C23F13/06
阴极保护装置的结构部件或组件
C23F13/08
阴极保护的专用缓蚀电极；其制造；电流的导入
C23F13/10
以结构为特征的电极
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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