一种采用NMOS管的电源正负极性防反接电路
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摘要
一种采用NMOS管的电源正负极性防反接电路，NMOS管为N沟道MOS管，电阻Ⅲ为NMOS管提供偏置电压，利用NMOS管的开关特性控制电路的导通和断开，从而防止电源极性反接给负载带来损坏，当电源极性正接的时候，电阻Ⅲ提供VGS电压，NMOS管饱和导通，反接的时候NMOS管不能导通，因此起到防反接的作用，电阻Ⅱ为分压电阻，稳压管可以防止NMOS管栅极和源极之间的电压过高而击穿NMOS管，电容Ⅰ可以使稳压管两端的稳压效果更加稳定平滑，防止当电压输入瞬间，稳压管两端的电压太高和突变。电感利用其两端电流不能突变的原理，从电路刚开始工作到工作了一段时间后使电流中的电流缓慢趋于稳定，同时利用电感的滤波作用，滤除电流中的杂波。
基本信息
专利标题 ：
一种采用NMOS管的电源正负极性防反接电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020263905.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN211530744U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
杨恩飞邢超高兆华
申请人 ：
山东飞越电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市高新开发区飞跃大道2016号创新工场南邻
代理机构 ：
济南泉城专利商标事务所
代理人 ：
支文彬
优先权 ：
CN202020263905.9
主分类号 ：
H02H11/00
IPC分类号 ：
H02H11/00 H02H9/04 H02H9/06
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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