一种太赫兹片上集成偶极子天线过渡结构

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摘要

本实用新型公开了一种太赫兹片上集成偶极子天线过渡结构，包括正面设有偶极子天线拓扑结构且背面设有金属层的矩形太赫兹芯片，矩形太赫兹芯片放置在与矩形太赫兹芯片宽度相同的矩形金属腔中，偶极子天线拓扑结构包括共面波导中心导带、共面波导接地层、偶极子天线过渡段、标准偶极子天线、偶极子天线谐振枝节和偶极子天线圆盘；该结构简单、加工方便，通过在标准偶极子天线末端添加偶极子天线谐振枝节拓展带宽，在偶极子天线谐振枝节末端添加偶极子天线圆盘以提高电磁能量耦合效率，可使标准太赫兹波导的输入电磁能量尽可能多的通过偶极子天线拓扑结构耦合至矩形太赫兹芯片电路，实现低损耗高性能的太赫兹芯片封装技术。

基本信息

专利标题：

一种太赫兹片上集成偶极子天线过渡结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020293568.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-11

授权号：

CN211126058U

授权日：

2020-07-28

发明人：

张勇朱华利张博徐跃杭

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都虹盛汇泉专利代理有限公司

代理人：

王伟

优先权：

CN202020293568.8

主分类号：

H01Q1/36

IPC分类号：

H01Q1/36 H01Q1/48 H01Q1/50