一种铌酸锂薄膜电光调制器

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摘要

本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器，包括：铌酸锂薄膜芯片、高数值孔径光纤、光纤套管，所述高数值孔径光纤放置于所述光纤套管中，所述高数值孔径光纤的光纤纤芯和所述铌酸锂薄膜芯片的光波导精密对准，所述铌酸锂薄膜芯片的端面和所述光纤套管的端面相连接。与采用普通单模光纤进行耦合粘接的铌酸锂薄膜电光调制器相比，本发明提出的采用高数值孔径光纤的耦合粘接方法具有更好的光波模场匹配程度，可以获得光纤耦合损耗更低、光学插入损耗更低的铌酸锂薄膜电光调制器。

基本信息

专利标题：

一种铌酸锂薄膜电光调制器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020313845.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-13

授权号：

CN211506095U

授权日：

2020-09-15

发明人：

李萍

申请人：

天津领芯科技发展有限公司

申请人地址：

天津市北辰区双街镇双街可信产业园B10-5-101

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202020313845.7

主分类号：

G02F1/035

IPC分类号：

G02F1/035