一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路，包括漏源电压检测单元，漏源电压检测单元依次连接SiC MOSFET的漏极D、源极S、电流检测选通单元以及信号调理单元；电流检测选通单元同时连接SiC MOSFET的栅极G和源极S、以及信号调理单元；信号调理单元还连接DSP控制器单元；DSP控制器单元通过通信端口、I/O口和D/A转换口输出所测电流；SiC MOSFET驱动单元连接SiCMOSFET的栅极G。本实用新型通过SiCMOSFET的漏源电压就可以检测出电力变换器中SiC MOSFET的漏极电流，将该电流可直接用于电力变换器的控制系统中，降低了检测单元和电力变换器系统的成本与体积。
基本信息
专利标题 ：
一种无传感器的SiC MOSFET电流检测电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020353862.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-19
授权号 ：
CN212255458U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
伍文俊左冉阳崔东杰蔡雨希
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
曾庆喜
优先权 ：
CN202020353862.3
主分类号 ：
G01R19/00
IPC分类号 ：
G01R19/00 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R19/00
用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
