高可靠性IGBT/MOSFET光耦驱动防直通保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种高可靠性IGBT/MOSFET光耦驱动防直通保护电路，其技术特点是：包括信号放大模块、整流电路、死区时间调整电路和信号互锁输出模块，所述信号放大模块通过整流电路及死区时间调整电路与信号互锁输出模块相连接，所述信号互锁输出模块由两个光耦合器构成。本实用新型设计合理，能够有效提高驱动IGBT、MOSFET的可靠性，有效地解决了IGBT、MOSFET的直通问题，降低驱动的成本，可广泛用于IGBT、MOSFET各种光耦驱动的半桥臂、H桥臂、多桥臂中，并且在各个功率等级都有非常好的效果。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性IGBT/MOSFET光耦驱动防直通保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020382005.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211456993U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
张德宽董兆辉
申请人 ：
天津方圆电气有限公司
申请人地址 ：
天津市河东区卫国道189号帅越科技园
代理机构 ：
天津盛理知识产权代理有限公司
代理人 ：
王利文
优先权 ：
CN202020382005.6
主分类号 ：
H02M1/38
IPC分类号 ：
H02M1/38 H02M1/092
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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